Self-Organization of Silicon Dots Grown by Thermal Decomposition of HSiO 3/2 Gels

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 2003-06, Vol.42 (Part 2, No. 6A), p.L619-L621
Hauptverfasser: Rouquette, Jerôme, Pauthe, Monique, Ramonda, Michel, Vladimirova, Maria, Gil, Bernard
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
DOI:10.1143/JJAP.42.L619