Pb(Zr x Ti 1-x )O 3 Thin Film Fabricated on Heterogeneous Under-Layer of Pt and SiO 2 in High Density Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM) Capacitor

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2003-12, Vol.42 (Part 2, No. 12B), p.L1504-L1506
Hauptverfasser:	Sun, Ho-Jung, Choi, Eun Seok, Kweon, Soon Yong, Kim, Nam Kyeong, Yeom, Seung Jin, Roh, Jae-Sung, Sohn, Hyun-chul
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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