Electrical Properties of Polycrystalline Si 1-x Ge x Thin-Films Prepared by a Solid-Phase Crystallization Method

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2003-11, Vol.42 (Part 2, No. 11A), p.L1308-L1311
Hauptverfasser:	Aya, Yoichiro, Takeda, Katsutoshi, Wakisaka, Kenichiro, Nishio, Koji
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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