Selective Single-Crystalline-Silicon Growth at the Pre-defined Active Region of a Thin Film Transistor on Glass by Using Continuous Wave Laser Irradiation

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2003-01, Vol.42 (Part 1, No. 1), p.23-27
Hauptverfasser:	Hara, Akito, Yoshino, Kenichi, Takeuchi, Fumiyo, Sasaki, Nobuo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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