Low-Voltage and Low-Current Flash Memory Using Source Induced Band-to-Band Tunneling Hot Electron Injection to Perform Programming

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2003, Vol.42 (Part 1, No. 4B), p.2028-2032
Hauptverfasser:	Pan, Liyang, Zhu, Jun, Zeng, Ying, Fu, Yuxia, Wu, Dong, Duan, Zhigang, Liu, Jianzhao, Sun, Lei
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!