Evaluation of Lattice Strain in Silicon Substrate Beneath Aluminum Conductor Film Using High-Resolution X-Ray Microbeam Diffractometry

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 2002, Vol.41 (Part 1, No. 10), p.6094-6097
Hauptverfasser: Yokoyama, Kazushi, Kurihara, Hideaki, Takeda, Shingo, Urakawa, Masafumi, Watanabe, Kyoko, Katou, Madomi, Inoue, Naoyuki, Miyamoto, Naoki, Tsusaka, Yoshiyuki, Kagoshima, Yasushi, Matsui, Junji
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.1143/JJAP.41.6094