Copper Distribution near a SiO 2 /Si Interface under Low-Temperature Annealing

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2002-10, Vol.41 (Part 1, No. 10), p.5887-5893
Hauptverfasser:	Hozawa, Kazuyuki, Isomae, Seiichi, Yugami, Jiro
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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