Influence of Organic Contaminant on Trap Generation in Thin SiO 2 of Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 2002-07, Vol.41 (Part 1, No. 7A), p.4750-4753
Hauptverfasser: Yoshino, Takenobu, Yokoyama, Shin, Fujii, Toshiaki
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.1143/JJAP.41.4750