Gate-Induced Drain Leakage Currents in Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors with High-κ Dielectric

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2002, Vol.41 (Part 1, No. 7A), p.4432-4435
Hauptverfasser:	Chang, Sung-il, Lee, Jongho, Shin, Hyungcheol
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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