Reduction of Threading Dislocations in GaN on Sapphire by Buffer Layer Annealing in Low-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 1999-12, Vol.38 (12R), p.6605
Hauptverfasser:	Tadao Hashimoto, Tadao Hashimoto, Masaaki Yuri, Masaaki Yuri, Masahiro Ishida, Masahiro Ishida, Yoshitami Terakoshi, Yoshitami Terakoshi, Osamu Imafuji, Osamu Imafuji, Takashi Sugino, Takashi Sugino, Kunio Itoh, Kunio Itoh
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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