One Bond-Type Migration of Phosphorus in Silicon by Interstitialcy Mechanism

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 1999-03, Vol.38 (3R), p.1596
Hauptverfasser:	Yoshida, Masayuki, Kamiura, Yoichi, Tsuruno, Reiji, Takahashi, Manabu, Tomokage, Hajime
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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