Epitaxial Growth of Ti 1- x Al x N Buffer Layer for a Ferroelectric (Ba, Sr)TiO 3 Capacitor on Si Substrate
Epitaxial titanium aluminum nitride, Ti 1- x Al x N(100) (0≦ x
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Veröffentlicht in: | Japanese Journal of Applied Physics 1998-02, Vol.37 (2A), p.L151 |
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Hauptverfasser: | , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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Zusammenfassung: | Epitaxial titanium aluminum nitride, Ti
1-
x
Al
x
N(100) (0≦
x |
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ISSN: | 0021-4922 1347-4065 |
DOI: | 10.1143/JJAP.37.L151 |