Epitaxial Growth of Ti 1- x Al x N Buffer Layer for a Ferroelectric (Ba, Sr)TiO 3 Capacitor on Si Substrate

Epitaxial titanium aluminum nitride, Ti 1- x Al x N(100) (0≦ x

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 1998-02, Vol.37 (2A), p.L151
Hauptverfasser: Yanase, Naoko, Sano, Kenya, Abe, Kazuhide, Kawakubo, Takashi
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:Epitaxial titanium aluminum nitride, Ti 1- x Al x N(100) (0≦ x
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.1143/JJAP.37.L151