Enhancement of Silicon Epitaxy by Increased Phosphorus Concentration in a Low-Energy Ion Bombardment Process

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 1998-06, Vol.37 (6R), p.3268
Hauptverfasser:	Kumami, Hajime, Shindo, Wataru, Ino, Kazuhide, Ohmi, Tadahiro
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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