Persistent Channel Depletion Caused by Hot Electron Trapping Effect in Selectively Doped n-AlGaAs/GaAs Structures

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 1985-03, Vol.24 (3R), p.377
Hauptverfasser:	Kinoshita, Haruhisa, Nishi, Seiji, Akiyama, Masahiro, Ishida, Toshimasa, Kaminishi, Katsuzo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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