Quantitative Study of Implanted Gold Atoms in Silicon p + -n Junctions by Measurement of the Thermally-Stimulated Current

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 1979-01, Vol.18 (9), p.1861-1862
Hauptverfasser:	Nitta, Takahisa, Higuchi, Hisayuki
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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