Effects of the Growth Temperature and Substrate Orientation on the Incorporation of Si, Ge and Sn into Vapour Epitaxial GaAs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 1974-01, Vol.13 (3), p.484-494
Hauptverfasser:	Nakanisi, Takatosi, Kasiwagi, Masahiro
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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