$Photoluminescence due to Inelastic Biexciton Scattering from an Al$_{0.61}$Ga$_{0.39}$N Ternary Alloy Epitaxial Layer at Room Temperature$

Photoluminescence due to Inelastic Biexciton Scattering from an Al$_{0.61}$Ga$_{0.39}$N Ternary Alloy Epitaxial Layer at Room Temperature

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics express 2012-07, Vol.5 (7), p.72401
Hauptverfasser:	Furutani, Yujiro, Kittaka, Ryo, Miyake, Hideto, Hiramatsu, Kazumasa, Yamada, Yoichi
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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