AlGaN/GaN-on-Silicon Metal–Oxide–Semiconductor High-Electron-Mobility Transistor with Breakdown Voltage of 800 V and On-State Resistance of 3 m$\Omega$$\cdot$cm$^{2}$ Using a Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Compatible Gold-Free Process

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics express 2012-06, Vol.5 (6), p.66501
Hauptverfasser:	Liu, Xinke, Zhan, Chunlei, Chan, Kwok Wai, Liu, Wei, Tan, Leng Seow, Chen, Kevin Jing, Yeo, Yee-Chia
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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