$Low Threshold Current Density InGaN Based 520–530 nm Green Laser Diodes on Semi-Polar {20\bar21} Free-Standing GaN Substrates$

Low Threshold Current Density InGaN Based 520–530 nm Green Laser Diodes on Semi-Polar {20\bar21} Free-Standing GaN Substrates

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics express 2010-12, Vol.3 (12), p.121001
Hauptverfasser:	Adachi, Masahiro, Yoshizumi, Yusuke, Enya, Yohei, Kyono, Takashi, Sumitomo, Takamichi, Tokuyama, Shinji, Takagi, Shinpei, Sumiyoshi, Kazuhide, Saga, Nobuhiro, Ikegami, Takatoshi, Ueno, Masaki, Katayama, Koji, Nakamura, Takao
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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