Continuous-Wave Operation of 520 nm Green InGaN-Based Laser Diodes on Semi-Polar {20\bar21} GaN Substrates

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Applied physics express 2009-09, Vol.2 (9), p.92101
Hauptverfasser: Yoshizumi, Yusuke, Adachi, Masahiro, Enya, Yohei, Kyono, Takashi, Tokuyama, Shinji, Sumitomo, Takamichi, Akita, Katsushi, Ikegami, Takatoshi, Ueno, Masaki, Katayama, Koji, Nakamura, Takao
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:1882-0778
1882-0786
DOI:10.1143/APEX.2.092101