Enhancing Noise Margins of Fin-Type Field Effect Transistor Static Random Access Memory Cell by Using Threshold Voltage-Controllable Flexible-Pass-Gates

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics express 2009-05, Vol.2, p.54502
Hauptverfasser:	Endo, Kazuhiko, O'uchi, Shin-ichi, Ishikawa, Yuki, Liu, Yongxum, Matsukawa, Takashi, Masahara, Meishoku, Sakamoto, Kunihiro, Tsukada, Junichi, Ishii, Kenichi, Yamauchi, Hiromi, Suzuki, Eiichi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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