Improvement of InGaZnO 4 Thin Film Transistors Characteristics Utilizing Excimer Laser Annealing

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics express 2009-02, Vol.2, p.21102
Hauptverfasser:	Nakata, Mitsuru, Takechi, Kazushige, Azuma, Kazufumi, Tokumitsu, Eisuke, Yamaguchi, Hirotaka, Kaneko, Setsuo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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