Improved Contact Resistance in AlGaN/GaN Heterostructures by Titanium Distribution Control at the Metal–Semiconductor Interface

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics express 2008-08, Vol.1, p.81101
Hauptverfasser:	Sazawa, Hiroyuki, Honda, Yoshiaki, Hata, Masahiko, Hasegawa, Akira, Hamamatsu, Hiroshi, Shimizu, Mitsuaki, Okumura, Hajime, Sakurai, Takeaki, Akimoto, Katsuhiko
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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