Formation of Ultra-low Density (≤10 4 cm -2 ) Self-Organized InAs Quantum Dots on GaAs by a Modified Molecular Beam Epitaxy Method

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics express 2008-06, Vol.1, p.61202
Hauptverfasser:	Ohmori, Masato, Kawazu, Takuya, Torii, Kousuke, Takahashi, Takuji, Sakaki, Hiroyuki
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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