Characteristics of heteroepitaxial structures Al x Ga1–x N for p–i–n diode focal plane arrays

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of communications technology & electronics 2016-03, Vol.61 (3), p.358-362
Hauptverfasser:	Smirnov, D. V., Boltar, K. O., Sednev, M. V., Sharonov, Yu. P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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