Improving parameters of GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb photodiode structures with thin active regions for the 1.0–2.5 μm wavelength range

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Technical physics letters 2007-10, Vol.33 (10), p.809-812
Hauptverfasser:	Astakhova, A. P., Zhurtanov, B. E., Imenkov, A. N., Mikhailova, M. P., Sipovskaya, M. A., Stoyanov, N. D., Yakovlev, Yu. P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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