Effect of a modified cover layer on the properties of hydrogen-sensitive Pd/GaAs/InGaAs diode heterostructures with quantum wells

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Technical physics letters 2007-08, Vol.33 (8), p.661-663
Hauptverfasser:	Tikhov, S. V., Karpovich, I. A., Gushchina, Yu. Yu, Istomin, L. A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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