Crystallization of β-SiC in thin SiC x layers (x = 0.03−1.40) synthesized by multiple implantation of carbon ions into silicon

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Technical physics 2011-02, Vol.56 (2), p.274-281
1. Verfasser:	Beisenkhanov, N. B.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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