On the recombination of intrinsic point defects in dislocation-free silicon single crystals

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physics of the solid state 2007-03, Vol.49 (3), p.467-471
Hauptverfasser:	Talanin, V. I., Talanin, I. E.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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