Temperature dependence of the hall coefficient in the Вi1–x Sb x System (x = 0.06, 0.12)

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2016-08, Vol.50 (8), p.996-1000
Hauptverfasser:	Tairov, B. A., Gasanova, X. A., Selim-zade, R. I.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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