Features of conductivity mechanisms in heavily doped compensated V1–x Ti x FeSb Semiconductor

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2016-07, Vol.50 (7), p.860-868
Hauptverfasser:	Romaka, V. A., Rogl, P., Romaka, V. V., Kaczorowski, D., Stadnyk, Yu. V., Krayovskyy, V. Ya, Horyn, A. M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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