Increase in the diffusion length of minority carriers in Al x Ga1–x N alloys ( x = 0–0.1) fabricated by ammonia molecular beam epitaxy

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2015-10, Vol.49 (10), p.1285-1289
Hauptverfasser:	Malin, T. V., Gilinsky, A. M., Mansurov, V. G., Protasov, D. Yu, Kozhuhov, A. S., Yakimov, E. B., Zhuravlev, K. S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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