Specific features of the temperature dependence of the conduction electron concentration in the narrow-gap and zero-gap states of Cd x Hg1 − x Te

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2012-03, Vol.46 (3), p.293-297
Hauptverfasser:	Aliev, S. A., Zulfigarov, E. I., Selim-zade, R. I.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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