Crystallophysical properties of the In1 − y Ga y As1 − x N x /GaAs heterostructures

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2011-12, Vol.45 (13), p.1642-1645
1. Verfasser:	Vigdorovich, E. N.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!