Thermoelectric efficiency of single crystal semiconducting ruthenium silicide

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2006-01, Vol.40 (1), p.27-32
Hauptverfasser:	Krivosheev, A. E., Ivanenko, L. I., Filonov, A. B., Shaposhnikov, V. L., Behr, G., Schumann, J., Borisenko, V. E.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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