Dependence of the surface topology and raman scattering spectra of Ge x Si1−x /Si films on the composition variation over the layer thickness

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Crystallography reports 2013-05, Vol.58 (3), p.509-512
Hauptverfasser:	Lunin, L. S., Sysoev, I. A., Bavizhev, M. D., Lapin, V. A., Kuleshov, D. S., Malyavin, F. F.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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