Nonvolatile memory cells based on the effect of resistive switching in depth-graded ternary Hf x Al1 − x O y oxide films

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Russian microelectronics 2014-07, Vol.43 (4), p.239-245
Hauptverfasser:	Orlov, O. M., Chuprik, A. A., Baturin, A. S., Gornev, E. S., Bulakh, K. V., Egorov, K. V., Kuzin, A. A., Negrov, D. V., Zaitsev, S. A., Markeev, A. M., Lebedinskii, Yu. Yu, Zablotskii, A. V.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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