Modeling of deep grooving of silicon in the process of plasmochemical cyclic etching/passivation

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Russian microelectronics 2007-07, Vol.36 (4), p.241-250
Hauptverfasser: Shumilov, A. S., Amirov, I. I.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:1063-7397
1608-3415
DOI:10.1134/S106373970704004X