Influence of the field of the built-in oxide charge on the lateral C- V dependence of the MOSFET

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Doklady. a journal of the Russian Academy of Sciences. Physics 2010-02, Vol.55 (2), p.52-54
Hauptverfasser:	Atamuratov, A. É., Matrasulov, D. U., Khabibullaev, P. K.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Classical Mechanics Mathematical and Computational Physics Physics Physics and Astronomy Technical Physics Theoretical
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!