Electronic structure and exchange interaction in Ga1–x Mn x As and In1–x Mn x Sb magnetic semiconductors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Inorganic materials 2016-02, Vol.52 (2), p.89-93
Hauptverfasser:	Yarzhemsky, V. G., Murashov, S. V., Izotov, A. D.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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