EPR identification of the triplet ground state and photoinduced population inversion for a Si-C divacancy in silicon carbide

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	JETP letters 2005-10, Vol.82 (7), p.441-443
Hauptverfasser:	Baranov, P. G., Il’in, I. V., Mokhov, E. N., Muzafarova, M. V., Orlinskii, S. B., Schmidt, J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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