Imaging Traps in Oxide Semiconductors with the Aid of Thermostimulated Electron Emission

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Technical physics letters 2005, Vol.31 (7), p.600
1. Verfasser: Nagornykh, S. N.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:1063-7850
DOI:10.1134/1.2001066