Spectroscopic Study of Ga-Doped Ge under Uniaxial Pressure

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2005, Vol.39 (2), p.182
1. Verfasser:	Pokrovskiı̆, Ya. E.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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