Infrared light-emitting diodes based on GaInAsSb solid solutions grown from lead-containing solution-melts

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2004-01, Vol.38 (12), p.1419-1425
Hauptverfasser:	Astakhova, A. P., Grebenshchikova, E. A., Ivanov, É. V., Imenkov, A. N., Kunitsyna, E. V., Parkhomenko, Ya. A., Yakovlev, Yu. P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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