Microwave field-effect transistors based on group-III nitrides

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2004-10, Vol.38 (10), p.1235-1239
Hauptverfasser:	Aleksandrov, S. B., Baranov, D. A., Kaidash, A. P., Krasovitskii, D. M., Pavlenko, M. V., Petrov, S. I., Pogorel’skii, Yu. V., Sokolov, I. A., Stepanov, M. V., Chalyi, V. P., Gladysheva, N. B., Dorofeev, A. A., Matveev, Yu. A., Chernyavskii, A. A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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