Potential barrier formation at a metal-semiconductor contact using selective removal of atoms

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2004-09, Vol.38 (9), p.1036-1040
Hauptverfasser:	Gurovich, B. A., Aronzon, B. A., Ryl’kov, V. V., Ol’shanskii, E. D., Kuleshova, E. A., Dolgii, D. I., Kovalev, D. Yu, Filippov, V. I.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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