Physical mechanisms of laser correction and stabilization of the parameters of Al-n-n +-Si-Al schottky barrier structures

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2004-06, Vol.38 (6), p.663-665
Hauptverfasser:	Vorobets, G. I., Vorobets, M. M., Strebezhev, V. N., Buzaneva, E. V., Shkavro, A. G.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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