Ultrafast Electron Drift in Field-Effect Semiconductor Structures with a Sectioned Channel

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2004-01, Vol.38 (2), p.232
1. Verfasser:	Gergel’, V. A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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