Effective cross section for photoluminescence excitation and lifetime of excited Er3+ ions in selectively doped multilayer Si:Er structures

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2003-09, Vol.37 (9), p.1100-1103
Hauptverfasser:	Gastev, S. V., Emel’yanov, A. M., Sobolev, N. A., Andreev, B. A., Krasil’nik, Z. F., Shmagin, V. B.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!