Raman and infrared spectroscopy of GaN nanocrystals grown by chloride-hydride vapor-phase epitaxy on oxidized silicon

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2003-08, Vol.37 (8), p.940-943
Hauptverfasser:	Bessolov, V. N., Zhilyaev, Yu. V., Konenkova, E. V., Fedirko, V. A., Zahn, D. R. T.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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